金屬靶材的鍍膜均勻性 (Uniformity) 和晶粒大小相關, 晶粒越小, 膜層均勻性越好. 但要讓晶粒變小, 必須讓材料受到大的變形, 再退火使材料再結晶, 若晶粒仍不夠小, 必須反覆這個過程多次, 這很耗費時間和人力, 或需要使用到變形+退火以外的新材料製程. 對某些要求嚴格的靶材, 會在規格書內訂定晶粒大小的規範, 以確保靶材的品質一致.

檢驗晶粒大小, 需要破壞性檢驗, 即在毛胚上切下有代表性的樣品, 經研磨+拋光+浸蝕, 用光學顯微鏡觀察照相, 所得照片稱為”金相照片 (Metallography)”.

每種材料的晶粒可細化程度不一, 通常 200~300um 為一般,  500~1000um 為粗大,  <100um為優良,  <20um為超細晶粒.