通常鍍膜客戶僅知道靶材的純度很重要, 往往忽略材質問題通常也來自材料的清淨度. PVD 靶材在真空腔體中為陰極, 帶負電, 受電漿中的正 Ar 離子轟擊, 若金屬材料中含有不導電的非金屬介在物 (Inclusion), 就會導致起弧 (Arcing), 嚴重時會停機.

非金屬介在物的來源大部份為金屬的氧化渣 (Slag), 當金屬在大氣下熔煉時, 會產生大量氧化渣, 如果沒有適當的覆蓋劑保護或除渣處理, 氧化渣就會捲進金屬內, 在不特定的位置隨意散佈, 很難事後去除. 因此製作靶材的標準製程為真空熔煉 (VIM, Vacuum Induction Melting), 以此避免金屬的氧化, 對 Fe 和 Cu 合金, 真空熔煉還有脫氧的作用, 使材料更清淨.

對 Ti, Zr 等高氧化的高熔點金屬, 若使用一般的耐火材料坩堝 (MgO, Al2O3), 會因高溫下對氧的活性不同, 產生取代作用, 熔湯把耐火材料侵蝕, 造成金屬污染和耐火材料的介在物. 因此對這類合金, 通常採用水冷坩堝的冷床熔煉法 (Cold Hearth Melting).