化合物半導體薄膜太陽能電池主要分為 CdTe 和 CIGS(CuInGaSe)  二大類. 用CdTe/CdS 和 CIGS/CdS 取代矽晶的P/N接面, 可改善光電轉換效率  (CdTe – 8~10%, CIGS – 10~12%). 因材料不同, 適用的電極層及TCO層材料也不同.  CdTe 用 ITO, SnO2, Cu or Cr, CIGS 用 ITO, ZnO, AZO, Mo.

CdTe 因材料具有毒性, 使用較少. 最近已有將 CdTe 鍍在建築玻璃, 成為“發電玻璃”的產品問巿. 將發電玻璃裝在大樓, 可不影響大樓外觀, 不佔用有效土地, 大幅增加發電面積, 且減少大樓玻璃造成的光害現象, 也減少大樓的溫室效應.

CIGS 膜層不易直接以濺鍍法完成, 多採用各種次合金的共鍍製程, 使用的材料有CuInGa, CuInSe, InGaSe, CuSe, CuGa, CuIn, InSe, Cu, In, Ga, Se.

由於 In 和 Ga 屬於昂貴的稀有金屬, 後來多改為 CuZnSnS(Se) 系列的膜層.

另外使用太陽能做為加熱用途的光熱管也需在表面鍍膜, 增強光的吸收性,. 常用材料有SiAl, Si.