合金材料中, 具有整數原子比的化合物稱為介金屬化合物, 其物理及機械性質與組成元素完全不同, 一般皆為硬而脆, 無可塑性, 易破, 性質如同陶磁. 在傳統的機械用途視為有害的介在物或第二相. 但在薄膜的應用, 因其具有獨特的光電磁性能, 成為必須特製的材料. 例如 TiAl, NiAl, TiSi, NiTi, FeSb, ….

非金屬與其他材料的整數原子比化合物, 稱為化合物半導體, 一般皆為週期表 III-V 族或 II-VI 族的二元化合物. 因其具有獨特的原子能階, 在光電及太陽能的應用越來越廣. 例如 GaAs, InSb, CdTe, GeSb, PbTe, GaSb, ZnSb, ZnTe, InTe, BiTe, PbSe, BiSe, CdS, InAs, …..