半導體元件 (Logic Device & DRAM) 的前段製程為製作電晶體, 用的材料主要為導電層 (Interconnect) 用的 AlCu, AlSiCu, AlSi 及阻絕層(Barrier)用的 Ti  (鍍 TiN 阻隔及潤濕膜). 材料要求重點為高純度  (>5N, No Mobile Ions), 高清淨度  (無介在物雜質), 超微細晶粒, 目的在製作低微粒 (Low Particle), 高均勻度 (High Uniformity), 低接觸電阻 (Low Contact Resistance)的薄膜.

當線寬持續縮小 (<0.2um), RC Delay及導線電遷移 (Electron Migration of Metal) 問題變得越來越嚴重, 必須改變材料特性才能解決, 因此改用銅製程 (Copper Process) , 使用低介電常數絕緣材 (Low-K Dielectrics) 及低電阻的銅導線, 此時鋁製程用的 AlCu  &  Ti由 Cu, Ta, Co 取代.

為因應不同的機台設計, 靶材形狀大多頗為複雜, 公差極小, 需精密加工. 又為達高鍍率, 需高電漿密度, 濺鍍功率一般都很高, 使靶材承受很大的熱應力及機械應力, 對直徑越來越大的靶材 (直徑>18”), 在厚度不增加的情況下, 通常以擴散接合法 (Diffusion Bonding) 或摩擦銲接法 (Friction Stir Welding) 將靶接合在高強度 Al 或 Cu 背板上, 以增加靶材彎折強度, 防止靶材變形.